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电子元器件详细资料 » IC[6892] » 3LN01C-TB-H
型号:3LN01C-TB-H类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3描述:MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C150mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C3.7 欧姆 @ 80mA,4V
Id时的Vgs(th)111最大222-
闸电荷(Qg)0a0Vgs1.58nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds7pF @ 10V
功率_最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装3-CP
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市华盛锦科技有限公司雷小姐086-0755-84571040/13724284480
深圳市凯斯宇科技有限公司蒋先生0755-28892811/23485500/13682692324
深圳市鼎诚讯电子科技有限公司朱先生0755-83211840 83243354
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